Un Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) è un componente elettronico a stato solido fondamentale utilizzato in molti dispositivi moderni, specialmente nei sistemi di alimentazione. Combina le caratteristiche di un transistor bipolare e di un transistor a effetto di campo (MOSFET), offrendo alta efficienza e capacità di commutazione rapida. Vediamo insieme come funziona questo dispositivo e perché è così importante.
Struttura di un IGBT
Un IGBT è costituito da tre strati di semiconduttori:
- un’emettitore (E)
- un collettore (C),
- una base (B)
che include un gate isolato. Questa struttura permette al dispositivo di controllare grandi correnti con piccole tensioni di ingresso, unendo la facilità di pilotaggio di un MOSFET con la capacità di maneggiare elevate correnti e tensioni di un transistor bipolare.
Quando non viene applicata nessuna tensione al gate, l’IGBT è in stato di riposo. In questa condizione, il flusso di corrente tra collettore e emettitore è praticamente nullo perché il dispositivo agisce come un isolante (come avviene su un transistor senza alcun pilotaggio sulla base).
Quando viene applicata una tensione positiva al gate rispetto all’emettitore, si crea un campo elettrico che modifica la distribuzione delle cariche nella regione del gate. Questo consente il flusso di corrente tra collettore e emettitore. Il controllo del gate permette di modulare la corrente attraverso il dispositivo, rendendolo particolarmente utile per applicazioni che richiedono il controllo preciso dell’energia.
Esempio di IGBT VCE 600 V, IC 75 A, canale N, TO-247 con le seguenti caratteristiche tecniche:
Corrente massima continuativa collettore 75 A
Tensione massima collettore emitter 600 V
Tensione massima gate emitter ±20V
Tipo di package TO-247
Tipo di montaggio Su foro
Tipo di canale N
Numero pin 3
Configurazione transistor Singolo
Dimensioni 15.87 x 4.82 x 20.82mm
Minima temperatura operativa -55 °C
Massima temperatura operativa +150 °C
Vantaggi dell’IGBT
- Alta efficienza: Grazie alla bassa resistenza di conduzione (anche chiamata RDSon), l’IGBT offre una ridotta dissipazione di potenza durante il funzionamento, rendendolo molto efficiente dal punto di vista energetico.
- Elevata capacità di commutazione: L’IGBT può commutare rapidamente tra stati di on e off, il che è essenziale per applicazioni che richiedono rapide variazioni di corrente, come nei convertitori di potenza e nei sistemi in PWM.
- Alta capacità di corrente e tensione: Può gestire alte correnti e tensioni, rendendolo ideale per applicazioni industriali pesanti.
Applicazioni dell’IGBT
Gli IGBT sono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni, tra cui:
- Inverter fotovoltaici: Convertono la corrente continua generata dai pannelli solari in corrente alternata utilizzabile. Azionamenti di motori elettrici: Utilizzati per controllare la velocità e la coppia dei motori elettrici, trovano applicazione nei veicoli elettrici e nelle macchine industriali.
- Alimentatori a commutazione: Utilizzati nei computer, elettrodomestici e altri dispositivi elettronici, permettono di convertire l’energia elettrica con alta efficienza. L’IGBT rappresenta una tecnologia cruciale per l’elettronica di potenza, unendo i vantaggi dei MOSFET e dei transistor bipolari. La sua capacità di gestire alte correnti e tensioni con efficienza energetica e rapidità di commutazione lo rende un componente indispensabile in molte applicazioni moderne, dai trasporti all’energia rinnovabile.
Esempio di IGBT di grande potenza, modello IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 160 A, canale N, Y4 M5 con le seguenti caratteristiche tecniche:
Corrente massima continuativa collettore 160 A
Tensione massima collettore emitter 1200 V
Tensione massima gate emitter ±20V
Configurazione Single
Tipo di package Y4 M5
Tipo di montaggio Montaggio a pannello
Tipo di canale N
Numero pin 7
Configurazione transistor Singolo
Dimensioni 94 x 34 x 30mm
Minima temperatura operativa -40 °C
Massima temperatura operativa +150 °C
Ecco una lista di sigle di IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) reperibili su fornitori come DigiKey, Toshiba, e ON Semiconductor. Questi dispositivi sono utilizzati in applicazioni industriali, inverter, e circuiti di alimentazione:
1MBI400U4B-120, FGA25N120, FGA30N120, FGA40N120, FGA60N120, IRG4BC20UD, IRG4PH50UDPBF, IRGP50B60PDPBF, IRGP50B120KD, IRGP4063D, IRGP4066D, IRGPC50S, IRGPC40F, IRG7PH50U, MG100Q2YS50, MG50Q2YS50, NGTB30N135IHRWG, STGW20NC60VD, STGW40V60DF, STGP10N120K, STGP19NC60KD, STGP60H120D, STGP7NC60K, STGP19N120KD, STGW20N120KD, STGW30NC120KD, STGP40NC120KD, STGP40N120KD, STGP10H120KD, STGP10N60KD, STGP15N60KD, STGP10N120HD, STGP7NC60HD, STGP19NC120HD, STGP40N120HD, STGP40NC120HD, STGP60N120HD, STGP19H120KD, STGP60NC120KD, STGW40N120KD, STGW40NC60VD, STGW40N120HD, STGW40NC120HD, STGW40NC60HD, STGW40N60HD, STGW60NC120HD, STGW60N60HD, STGW60NC60HD
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Vedi anche come funziona un Mosfet, un Hexfet, un transistor…
